รายละเอียดมาตรฐานผลิตภัณฑ์อุตสาหกรรม
60749 เล่ม 29-2567
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ - วิธีทดสอบทางกลและภาวะอากาศ เล่ม 29 การทดสอบลัทช์-อัพ
SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 29: LATCH-UP TEST
มอก. มาตรฐานทั่วไป
30 สิงหาคม 2568
IEC 60749-29 Edition 2.0 (2011-04)
ประกาศและงานทั่วไป
142
พิเศษ 284 ง หน้า 57
29 สิงหาคม 2568
26 มีนาคม 2568
- กำหนดขึ้นโดยรับ IEC 60749-29 Edition 2.0 (2011-04) Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 29: Latch-up test มาใช้โดยวิธีพิมพ์ซ้ำ (reprinting) ในระดับเหมือนกันทุกประการ (identical) โดยใช้ IEC ฉบับภาษาอังกฤษเป็นหลัก
- ครอบคลุมการทดสอบ I-test และการทดสอบลัทช์-อัพจากแรงดันเกิน
ของวงจรรวม
- การทดสอบนี้จัดเป็นการทดสอบแบบทำลาย
- วัตถุประสงค์ของการทดสอบนี้ใช้กำหนดวิธีการกำหนดลักษณะการลัทช์-อัพ (latch-up) ของวงจรรวม (integrated circuit : IC) และเพื่อกำหนดเกณฑ์ความล้มเหลวของการลัทช์-อัพ ลักษณะลัทช์-อัพใช้พิจารณา
ความเชื่อถือได้ของผลิตภัณฑ์และทำให้ความล้มเหลวแบบ "ไม่พบปัญหา" (no trouble found : NTF) และลด "ความเครียดเกินทางไฟฟ้า" (electrical overstress : EOS) เนื่องจากลัทช์-อัพ
- วิธีทดสอบนี้ใช้ได้กับอุปกรณ์ CMOS เป็นหลัก และในการนำไปใช้กับเทคโนโลยีอื่น ๆ ต้องมีการกำหนดเป็นมาตรฐานอื่นต่อไป
- การจำแนกประเภทของลัทช์-อัพตามการทำงานของอุณหภูมิจะกำหนด
ในข้อ 3.1 และเกณฑ์ระดับความล้มเหลวจะกำหนดในข้อ 3.2