เลขที่ มอก. : 60749 เล่ม 44-2567
ชื่อ มอก. :
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ - วิธีทดสอบทางกลและภาวะอากาศ เล่ม 44 วิธีทดสอบผลกระทบจากเหตุการณ์เดียว (SEE) โดยใช้ลำแสงนิวตรอนสำหรับอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
TIS NAME :
SEMICONDUCTOR DEVICES - MECHANICAL AND CLIMATIC TEST METHODS - PART 44: NEUTRON BEAM IRRADIATED SINGLE EVENT EFFECT (SEE) TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
ประเภทมาตรฐาน :
มอก. มาตรฐานทั่วไป
วันที่เริ่มใช้ :
31 สิงหาคม 2568
Reprint - Identical :
IEC 60749-44 Edition 1.0 (2016-07)
ประกาศในราชการกิจจานุเบกษา :
ฉบับที่ ประกาศและงานทั่วไป
เล่ม 142
ตอน พิเศษ 285 ง หน้า 25
วันที่ 30 สิงหาคม 2568
ประกาศกระทรวง :
ฉบับที่
วันที่ 26 มีนาคม 2568
บทคัดย่อ ภาษาไทย : - กำหนดขึ้นโดยรับ IEC 60749-44 Edition 1.0 (2016-07) Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices มาใช้โดยวิธีพิมพ์ซ้ำ (reprinting) ในระดับเหมือนกันทุกประการ (identical) โดยใช้
IEC ฉบับภาษาอังกฤษเป็นหลัก
- กำหนดขั้นตอนสำหรับการวัดผลกระทบจากเหตุการณ์เดียว (single event effects (SEEs)) บนอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำวงจรรวมความหนาแน่นสูงรวมถึงความสามารถในการเก็บข้อมูลของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีหน่วยความจำเมื่ออยู่ในบรรยากาศการแผ่รังสีนิวตรอนที่เกิดขึ้นโดยรังสีคอสมิก ความไวของผลกระทบเหตุการณ์เดียวจะถูกวัดในขณะที่อุปกรณ์ถูกฉายรังสีในลำแสงนิวตรอนที่ทราบฟลักซ์ วิธีทดสอบนี้สามารถนำไปใช้กับวงจรรวมทุกประเภท
หมายเหตุ 1 อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำภายใต้ความเค้นแรงดันสูงอาจได้รับผลกระทบจากเหตุการณ์เดียว รวมถึง SEB (single event burnout) และ SEGR (single event gate rupture) สำหรับหัวข้อนี้ที่ไม่ครอบคลุมในเอกสารนี้ โปรดดูที่
IEC 62396-4 [2]
หมายเหตุ 2 นอกจากนิวตรอนพลังงานสูงแล้ว อุปกรณ์บางชนิดยังสามารถมีอัตรา
ความผิดพลาดชั่วคราวได้เนื่องจากนิวตรอนความร้อนพลังงานต่ำ (<1 eV) สำหรับหัวข้อที่ไม่ครอบคลุมในเอกสารนี้ โปรดดู IEC 62396-5 [3]
Abstract :